لقد قمنا بھذا البحث بتحضير نبائط شوتكي بتماسات مختلفة حيث تم اختيارالأرضية)Substrate(من شبھ الموصلنوع أرسنيد الكاليوم المانح)n-Type GaAs(ذو مقاوميھ)2x10-6Ohm.cm(والألفة الإليكترونية لھ)4.07 eV(واختيار معدني الألمنيوم والذھب حيث تمتصنيع ثلاث نماذج مختلفة ھي نموذج شوتكي بتماس)Al / GaAs(وبتماس أومي معدن الألمنيوم وتحضير نموذج شوتكي بتماس)Al / GaAs(وبتماس أومي سبيكة جرمانيوم ذھب بنسبة)0.88-0.12(على التوالي وتحضير نموذج شوتكي بتماس )Au / GaAs(وبتماس أومي سبيكة جرمانيوم ذھب بنفس النسب السابقة على التوالي أولا من ثم عمل تماس شوتكي للنماذج السابقة الذكر بواسطة حيث تم عمل التماس الأومي منظومة الفراغ وتحت ضغط)10-5تور(وسمك للغشاء بحدود 100 ?(ومن ثم إجراء التلدين الحراري لھا تحت درجة)K(673ولمدة نصف ساعة،من ثم قياس قيم تيار فولتية بتأثير الأنحيازين الأمامي والعكسي وتم منھا حساب قيم تيار الإشباع للنماذج الثلاث وارتفاع حاجز شوتكي وعامل المثالية عند درجة حرارة الغرفة ودرجات حرارة واطئة باستخدام منظومة الكريوستات التي تتحكم بانخفاض درجة الحرارة بواسطة سائل النيتروجين وتحت ضغط)10-5تور(وتم دراسة مدى تأثر ھذه العوامل بدرجة الحرارة وتأثير نوع التماس الأومي المستخدم